Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 424-426 |
---|---|
Other Authors: | Васильев, Андрей Георгиевич, Данилин, В. Н., Жукова, Т. А. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич - Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов
-
Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С. - Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
-
Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич