Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 268
Other Authors:	Дьяконов, Лев Иванович, Козлова, Юлия Павловна, Марков, Александр Владимирович физик
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	осаждение нитрид галлия
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

The Blue Laser Diode : GaN Based Light Emitters and Lasers/
by: Nakamura, Shuji, et al.
Published: (1997)

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев

Реактивное осаждение электропроводящих пленок нитрида титана

Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001)