Применение GaAs, легированного примесями переходных металлов, в электронике
| Опубликовано в: : | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 427-430 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: |