Применение GaAs, легированного примесями переходных металлов, в электронике
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 427-430 |
---|---|
Main Author: | Хлудков, Станислав Степанович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
-
Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Диффузное легирование GaAs примесью хлора
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Радиационное модифицирование и легирование химическими примесями как процессы самокомпенсации в полупроводниках
by: Брудный, Валентин Натанович - Электрические свойства GaAs, легированного железом