Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs

Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs

Bibliographic Details
Published in:Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 160-163
Other Authors: Девятова, Светлана Федоровна, Семенова, Л. А., Медведев, А. В., Панова, Зоя Васильевна
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
МДП-структуры
полупроводниковые соединения
Online Access:Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Bibliography:Библиогр.: 5 назв.

Similar Items