Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs
| Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 160-163 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |