Зарубин, А. Н., Мокеев, Д. Ю., Окаевич, Л. С., Тяжев, А. В., Биматов, М. В., Лелеков, М. А., & Пономарев, И. В. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом. Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции, to000223791(Томск, 2006), .
Chicago Style (17th ed.) CitationЗарубин, Андрей Николаевич, Дмитрий Юрьевич Мокеев, Людмила Стефановна Окаевич, Антон Владимирович Тяжев, Михаил Владимирович Биматов, Михаил Александрович Лелеков, and Иван Викторович Пономарев. "Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом." Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции to000223791, no. Томск, 2006 ().
MLA (8th ed.) CitationЗарубин, Андрей Николаевич, et al. "Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом." Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции, vol. to000223791, no. Томск, 2006, .