LEADER 01876naa a2200325 i 4500
001 vtls000418836
003 RU-ToGU
005 20240723104118.0
008 120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035 |a to000418836 
039 9 |y 201201090936  |z Александр Эльверович Гилязов  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
080 |a 537.311.322:546.681'191.1 
080 |a 621.315.592:546.681'191.1 
245 1 0 |a Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом  |c А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич и др. 
504 |a Библиогр.: 4 назв. 
653 |a носители заряда 
653 |a труды ученых ТГУ 
700 1 |a Зарубин, Андрей Николаевич  |9 86743 
700 1 |a Мокеев, Дмитрий Юрьевич.  |9 86736 
700 1 |a Окаевич, Людмила Стефановна.  |9 379035 
700 1 |a Тяжев, Антон Владимирович  |9 82286 
700 1 |a Биматов, Михаил Владимирович  |9 378986 
700 1 |a Лелеков, Михаил Александрович  |9 247842 
700 1 |a Пономарев, Иван Викторович.  |9 82287 
773 0 |t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции  |d Томск, 2006  |g С. 521-524  |w to000223791 
852 |a RU-ToGU 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308698 
908 |a статья 
999 |c 308698  |d 308698