|
|
|
|
| LEADER |
01984nab a2200349 c 4500 |
| 001 |
vtls000470576 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20241023122714.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
170612s2013 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a to000470576
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Электрические свойства GaAs, легированного железом
|c С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 14 назв.
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a электрические свойства
|
| 653 |
|
|
|a легирование
|
| 653 |
|
|
|a железо
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Прудаев, Илья Анатольевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Новиков, Вадим Александрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Будницкий, Давыд Львович
|
| 700 |
1 |
|
|a Лопатецкая, Ксения Сергеевна
|
| 700 |
1 |
|
|a Хлудков, Станислав Степанович
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Сибирский физико-технический институт
|b Научные подразделения СФТИ
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Радиофизический факультет
|b Кафедра полупроводниковой электроники
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Радиофизический факультет
|b Публикации студентов и аспирантов РФФ
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2013
|g Т. 56, № 12. С. 103-105
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
7 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470576
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 311602
|d 311602
|
