Электрические свойства GaAs, легированного железом
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 12. С. 103-105 |
---|---|
Corporate Authors: | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ |
Other Authors: | Прудаев, Илья Анатольевич, Новиков, Вадим Александрович, Будницкий, Давыд Львович, Лопатецкая, Ксения Сергеевна, Хлудков, Станислав Степанович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470576 |
Similar Items
-
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Диффузное легирование GaAs примесью хлора
by: Хлудков, Станислав Степанович -
Влияние водорода на электрические характеристики контактов Pd-GaAs
by: Димеев, А. А. -
Светодиод из GaAs(Si) как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек
by: Сидоров, Валерий Георгиевич