МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения

Bibliographic Details
Published in:	Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2 Вып. 2 : Проблемы естествознания. С. 415-417
Main Author:	Торопов, Никита Александрович
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors:	Романов, Иван Сергеевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	труды ученых ТГУ нанокластеры молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктуры оптоэлектроника дифракция быстрых электронов статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000425155 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Есин, Михаил Юрьевич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
by: Остертак, Д. И.

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Нанотехнология физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов
by: Суздалев, Игорь Петрович
Published: (2009)

Нанотехнология физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов
by: Суздалев, Игорь Петрович
Published: (2013)

Нанотехнология физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов
by: Суздалев, Игорь Петрович
Published: (2006)

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
by: Заяханов, Владимир Александрович

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
by: Дирко, Владимир Владиславович

Морфология, структура и оптические свойства пленок SNO(x)

Morphology, structure, and optical properties of SnO (x) films

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Нанокластеры рентгеноспектральные исследования и компьютерное моделирование
by: Мазалова, Виктория Леонидовна
Published: (2012)

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми тосками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

Structure and properties of atomic nanoclusters
by: Alonso, Julio A.
Published: (2005)

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Morphology, structure, and optical properties of semiconductor films with GeSiSn nanoislands and strained layers

Nanostructures: physics and technology 15th International Symposium, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007
Published: (2007)

Handbook of semiconductor nanostructures and nanodevices
Published: (2006)

Размерные эффекты в наноматериалах
by: Родунер, Эмиль
Published: (2010)

Резонансное туннелирование в нанокластерах Au на поверхности тонких пленок SiO2/Si при исследовании методом комбинированной АСМ/СТМ
by: Лапшина, М. А.

Воздействие низкоэнергетических высокоинтенсивных потоков электронов на эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич