Методика расчета излучательных характеристик квантовых ям на основе CdxHg1-xTe
Published in: | Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, Томск С. 47-48 |
---|---|
Main Author: | Горн, Дмитрий Игоревич |
Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Ижнин, Игорь Иванович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
-
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Горн, Дмитрий Игоревич
Published: (2012) -
Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович - Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
-
Ion implantation in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions
by: Talipov, Niyaz Kh - О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига