Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption
Published in: | Semiconductors Vol. 46, № 1. P. 49-55 |
---|---|
Corporate Authors: | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики |
Other Authors: | Valisheva, Natalia A., Tereshchenko, Oleg E., Kulkova, Svetlana E., Eremeev, Sergey V. |
Format: | Article |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000437623 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Fluorine and oxygen adsorption and their coadsorption on the (111) surface of InAs and GaAs
- Role of oxygen and fluorine in passivation of the GaSb(111) surface depending on its termination
- Adsorption and diffusion of oxygen on γ-TiAl(001) and (100) surfaces
-
Absorption and diffusion of oxygen in Ti-Al bulk alloys
by: Bakulin, Alexander V. -
Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111)
by: Фукс, Артем Андреевич