Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов
Similar Items
- Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
-
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
by: Войцеховский, Александр Васильевич - Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
-
Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович -
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич