Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления

Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 10. С. 88-90
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Григорьев, Денис Валерьевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Коханенко, Андрей Павлович, Тарасенко, Виктор Федотович, Шулепов, Михаил Александрович, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	теллурид кадмия-ртути объемные разряды модификация поверхности полупроводники эпитаксиальные пленки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444849

Similar Items

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ

Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ

Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe

Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films

Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Радиационные эффекты в HgCdTe

Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути
by: Усманов, С. Р.

Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
by: Новиков, Вадим Александрович

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Light emission from CdHgTe-based nanostructures

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование спектральных характеристик эпитаксиальных пленок КРТ
by: Волков, А. И.

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Background donor concentration in HgCdTe

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
by: Шумкин, С. В.

Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами