Применение термического анализа для характеризации состава и структуры нелинейных кристаллов GaSe

Применение термического анализа для характеризации состава и структуры нелинейных кристаллов GaSe

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия Томского политехнического университета Т. 321, № 2. С. 128-132
Корпоративные авторы:	Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
Другие авторы:	Вайтулевич, Елена Анатольевна, Светличный, Валерий Анатольевич, Зуев, Владимир Владимирович 1956-, Морозов, Александр Николаевич, Кох, Константин Александрович, Ланский, Григорий Владимирович, Андреев, Юрий Михайлович физик
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	селенид галлия нелинейные оптические кристаллы дифференциальная сканирующая калориметрия кристаллические структуры статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444491 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Порог лазерного разрушения нелинейных кристаллов GaSe и GaSe:In на длине волны 2091 нм

Оптимальное легирование кристаллов GaSe для нелинейно-оптических применений

Formation of native oxide crystallites on the GaSe(001) cleaved surface

Алгоритм определения нелинейной восприимчивости легированных кристаллов GaSe в ТГц-диапазоне

Оптические свойства нелинейных кристаллов твердых растворов GaSe:InS

Doping as a mean to improve mechanical properties for GaSe

Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe

Предельный порог накачки кристаллов GaSe фемтосекундными импульсами

Дисперсионные свойства GaSe1-xSx в терагерцовом диапазоне

Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии

Фазовый синхронизм для генерации второй гармоники в кристаллах GaSe

Differential scanning calorimetry
по: Hoehne, G. W. H. (Guenther)
Публикация: (2003)

Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на спектры оптического поглощения кристаллов GaSe
по: Редькин, Руслан Александрович

Оптическое выпрямление в легированных кристаллах GaSe = Optical rectification in doped GaSe crystals
по: Ланский, Григорий Владимирович

Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия

Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress
по: Kosobutsky, Alexey V.

Tellurium and sulfur doped GaSe for mid-IR applications

The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals

Генерация второй гармоники излучения СO2-лазера в режиме самосинхронизации мод в кристаллах GaSe и GaSeS

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

Генерация второй гармоники излучения СО2-лазера в режиме самосинхронизации мод в кристаллах GaSe и GaSeS

Использование методов термического анализа для исследования углей
по: Косьяненко, Екатерина Станиславовна

Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights
по: Brudnyi, Valentin N.

GaSe:Er3+ crystals for SHG in the infrared spectral range

The visibility and stability of GaSe nanoflakes of about 50 layers on SiO2/Si wafers

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Генерация фемтосекундных импульсов в среднем ИК и ТГц диапазоне в кристаллах GaSe1-xTex

Model studies of THz-range generation by down-conversion in GaSe and GaSeS crystals
по: Lubenko, Dmitry M.

Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals

Native oxide nanocrystals formation on the GaSe(001) cleaved surface

Doped GaSe crystals for laser frequency conversion

Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия

Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe

Optical properties of Te-doped GaSe cristal

Выращивание монокристаллов GaSe методом направленного градиента

A comparison of terahertz electro-optic sampling in ZnTe, ZnSe, GaP and GaSe1-xSx crystals

On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor
по: Brudnyi, Valentin N.

Characterization of Bridgman grown GaSe:Al crystals

Growth and optical properties of solid solution crystals GaSe1-xSx

Broadband and narrowband terahertz generation and detection in GaSe1− xSx crystals