Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 130-132
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
Other Authors:	Айзенштат, Геннадий Исаакович, Монастырев, Евгений Александрович, Божков, Владимир Григорьевич, Иващенко, Анна Ивановна, Ющенко, Алексей Юрьевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	арсенид галлия нитрид галлия СВЧ-усилители мощные усилители транзисторы интегральные схемы монолитные пассивные МИС статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448679 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Монолитные и квазимонолитные модули и устройства мм-диапазона на основе арсенид галлиевых МИС

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes
by: Ayzenshtat, G. I.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Приемно-усилительные устройства СВЧ [сборник статей]
Published: (1985)

Твердотельные усилители мощности СВЧ-диапазона учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки: 2.11.03.03, 2.11.04.03 "Конструирование и технология электронных средств" (квалификация "бакалавр", "магистр") и 2.11.03.04, 2.11.04.04 "электроника и наноэлектроника" (квалификация "бакалавр", "магистр")]
by: Иовдальский, Виктор Анатольевич
Published: (2022)

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Окунев, В. Д.
Published: (1972)

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
by: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Published: (1978)

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Труды Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники
Published: (1974)

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Published: (2022)

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Моделирование электронных процессов в полевых транзисторах на арсениде галлия
by: Дучко, Андрей Николаевич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Зарубежные аналоговые микросхемы и их аналоги : Каталог : В 8 т.
by: Нефедов, Анатолий Владимирович
Published: (1999)

Схемотехника сверхширокополосных и полосовых усилителей мощности
by: Титов, А. А.
Published: (2007)

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
by: Будницкий, Давыд Львович
Published: (1986)