Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации

Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Сатдаров, Вадим Газизович, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые точки волоконно-оптические линии связи ИК-фотоприемники наногетероструктуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448913

Similar Items

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф Мохаммедовна

Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур SI/GE для диапазона 1,3-1,55 мкм
by: Лозовой, К. А.

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Performance analysis of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
by: Dukhan, Rahaf M. H.

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Современные проблемы волоконно-оптических линий связи Терминологический словарь
Published: (2002)

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Вычислительный эксперимент "Моделирование характеристик фотоприемных устройств для волоконно-оптических систем связи" Методические указания
Published: (1998)

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Dark current and detectivity of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
by: Douhan, Rahaf M. H.