|
|
|
|
LEADER |
04732cam a2200745 i 4500 |
001 |
vtls000452581 |
003 |
RU-ToGU |
005 |
20210922061554.0 |
008 |
130614s2011 ru a b 001 0 rus|d |
020 |
|
|
|a 9785922113212
|
035 |
|
|
|a to000452581
|
039 |
|
9 |
|a 201610061226
|c 201406091406
|d cat31
|c 201306211133
|d cat31
|c 201306201658
|d cat31
|y 201306141245
|z Александр Эльверович Гилязов
|
040 |
|
|
|a RuMoRKP
|b rus
|e rcr
|d RuMoRGB
|d RU-ToGU
|
041 |
0 |
|
|a rus
|
080 |
|
|
|a 621.382.049.77(075.8)
|
080 |
|
|
|a 621.382-022.532(075.8)
|
080 |
|
|
|a 538.911-022.532:621.382(075.8)
|
084 |
|
|
|a В317.1я73-1
|2 rubbk
|
084 |
|
|
|a З844-06-1с.я73-1
|2 rubbk
|
100 |
1 |
|
|a Барыбин, Анатолий Андреевич
|9 71509
|
245 |
1 |
0 |
|a Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники
|b [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника", 211000 "Конструирование и технология электронных средств", 222900 "Нанотехнологии и микросистемная техника"]
|c А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов ; под общ. ред. А. А. Барыбина
|
260 |
|
|
|a Москва
|b Физматлит
|c 2011
|9 689897
|
300 |
|
|
|a 782, [1] с.
|b ил., портр., табл.
|c 22 см
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: с. 771-772
|
504 |
|
|
|a Предм. указ.: с. 773-782
|
650 |
|
7 |
|a Электроника
|x Физические основы
|v Учебные издания для высших учебных заведений
|2 nlr_sh
|9 391406
|
653 |
|
|
|a электронные технологии
|
653 |
|
|
|a фазовые превращения веществ
|
653 |
|
|
|a химические превращения веществ
|
653 |
|
|
|a управление диффузионными процессами
|
653 |
|
|
|a управление кинетическими процессами
|
653 |
|
|
|a равновесные процессы
|
653 |
|
|
|a неравновесные процессы
|
653 |
|
|
|a энтропия
|
653 |
|
|
|a законы сохранения энергии
|
653 |
|
|
|a второе начало термодинамики
|
653 |
|
|
|a Пригожина теорема о минимуме производства энтропии
|
653 |
|
|
|a фазовое равновесие
|
653 |
|
|
|a химическое равновесие
|
653 |
|
|
|a равновесие структурное
|
653 |
|
|
|a дефектообразование в кристаллах
|
653 |
|
|
|a кристаллические решетки полупроводников
|
653 |
|
|
|a электронно-дырочное равновесие полупроводников
|
653 |
|
|
|a диффузия атомов в полупроводниках
|
653 |
|
|
|a легирование полупроводников диффузионное
|
653 |
|
|
|a химическое травление полупроводников
|
653 |
|
|
|a термическое окисление полупроводников
|
653 |
|
|
|a полупроводники монокристаллические
|
653 |
|
|
|a эпитаксиальные методы
|
653 |
|
|
|a химический транспорт веществ
|
653 |
|
|
|a поверхности полупроводников
|
653 |
|
|
|a межфазные взаимодействия полупроводников
|
653 |
|
|
|a нанокластеры
|
653 |
|
|
|a наноструктурированные материалы
|
653 |
|
|
|a золь-гель технологии
|
653 |
|
|
|a зародышеобразование тонких пленок
|
653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
700 |
1 |
|
|a Томилин, Виктор Иванович
|9 370150
|
700 |
1 |
|
|a Шаповалов, Виктор Иванович
|d 1956-
|9 102044
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|h 621.3
|i Б269
|n ru
|
856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=335005
|
908 |
|
|
|a учебник
|
999 |
|
|
|c 335005
|d 335005
|
952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 2030392
|7 0
|9 573211
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2021-04-04
|g 752.40
|l 0
|o 2-030392
|p 13820000842476
|r 2023-11-20
|w 2021-04-04
|y 1
|
952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 62_Б269
|7 0
|9 573212
|a RU-ToGU
|c 10023
|d 2021-04-04
|g 752.40
|l 1
|m 2
|o 62 Б269
|p 13820000842477
|r 2022-03-22
|s 2021-04-10
|y 5
|