|
|
|
|
| LEADER |
02050nam a2200337 c 4500 |
| 001 |
vtls000459100 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20230319193410.0 |
| 008 |
130923s1966 ru a f bm 000 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a to000459100
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 080 |
|
|
|a 548.313.4:541.454(043.3)
|
| 080 |
|
|
|a 538.915:541.454:539.172.12(043.3)
|
| 100 |
1 |
|
|a Кравец, А. Н.
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов
|b диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
|c А. Н. Кравец ; науч. рук. Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И. ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова
|
| 260 |
|
|
|a Томск
|b [б. и.]
|c 1966
|
| 300 |
|
|
|a 145 л., [26] л. ил.
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: л. 132-145
|
| 653 |
|
|
|a диссертации
|
| 653 |
|
|
|a щелочно-галоидные кристаллы, электронные центры
|
| 653 |
|
|
|a ионизирующие излучения протонные
|
| 653 |
|
|
|a радиационные дефекты
|
| 653 |
|
|
|a щелочно-галоидные кристаллы , радиационное дефектообразование
|
| 653 |
|
|
|a спектры поглощения
|
| 653 |
|
|
|a электронно-дырочные переходы
|
| 700 |
1 |
|
|a Мелик-Гайказян, Ирина Яковлевна
|d 1922-1998
|4 ths
|
| 700 |
1 |
|
|a Вайсбурд, Давид Израйлевич
|d 1937-2009
|4 ths
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский политехнический институт им. С. М. Кирова.
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 999 |
|
|
|c 340790
|d 340790
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 926266
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2021-04-04
|l 0
|o 926266
|p 13820000848046
|r 2024-11-27
|w 2021-04-04
|y 1
|
