Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Main Author: | Кравец, А. Н. |
---|---|
Corporate Author: | Томский политехнический институт им. С. М. Кирова |
Other Authors: | Мелик-Гайказян, Ирина Яковлевна 1922-1998 (Thesis advisor), Вайсбурд, Давид Израйлевич 1937-2009 (Thesis advisor) |
Format: | Book |
Language: | Russian |
Published: |
Томск
[б. и.]
1966
|
Subjects: |
Similar Items
-
Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галоидных кристаллов
Published: (1989) -
Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов
by: Зуев, Лев Борисович 1940-
Published: (1990) -
Эффект радиационной "памяти" в щелочно-галоидных кристаллах
by: Коровкин, Михаил Владимирович 1952- -
Влияние всестороннего сжатия на акустические свойства щелочно-галоидных кристаллов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
by: Гурченок, Алексей Анатольевич
Published: (1984) -
Зависимость интенсивности люминесценции от длины волны возбуждающего света при разных температурах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Шалимова, Клавдия Васильевна
Published: (1946)