Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 5. С. 104-109
Main Author:	Войцеховский, Александр Васильевич
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors:	Никитин, Михаил Степанович, Талипов, Нияз Хатимович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	гетероэпитаксиальные слои теллурид кадмия-ртути молекулярно-лучевая эпитаксия фотодиоды ионная имплантация статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items