Вода с дезактивированным кислородом для промывки поверхности полупроводников AIIIBV после химического травления
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 7/2. С. 96-101 |
---|---|
Main Author: | Мокроусов, Геннадий Михайлович |
Corporate Authors: | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ, Томский государственный университет Химический факультет Публикации студентов и аспирантов ХФ |
Other Authors: | Зарубина, Оксана Николаевна, Леоненко, Роман Олегович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516419 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич -
Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04
by: Зарубина, Оксана Николаевна
Published: (2013) - Изменение поверхности монокристаллов антрацена в процессе травления
- Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия
-
Формирование пористого кремния методами металл-стимулированного химического травления и электрохимического травления
by: Круковский, Константин Витальевич