Characterization of optical quality of GaSe:Al crystals by exciton absorption peak parameters
Published in: | Journal of materials science: materials in electronics Vol. 25. P. 1757-1760 |
---|---|
Corporate Author: | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ |
Other Authors: | Xie, Ji-Jiang, Zhang, Lai-Ming, Kokh, Konstantin A., Andreev, Yury M. 1946-, Izaak, Tatyana I., Lanskii, Grigory V., Shaiduko, Anna V., Guo, Jin, Svetlichnyi, Valerii A. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000480487 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Characterization of Bridgman grown GaSe:Al crystals
- Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals
-
Инженерия дисперсии GaSe в ТГЦ-диапазоне путем легирования алюминием
by: Лубенко, Дмитрий Михайлович - A comparison of terahertz electro-optic sampling in ZnTe, ZnSe, GaP and GaSe1-xSx crystals
- Growth and optical properties of solid solution crystals GaSe1-xSx