Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Bibliographic Details
Published in:	Physical Review B Vol. 90, № 3. P. 035430-1-035430-6
Corporate Author:	Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors:	Kirienko, V. V., Armbrister, V. A., Bloshkin, Aleksei A., Dvurechenskii, Anatolii V., Yakimov, Andrew I.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	германий кремний квантовые точки спектроскопия электронные состояния статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000490495 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
by: Lozovoy, Kirill A.

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
by: Lozovoy, Kirill A.

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Dark current and detectivity of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
by: Douhan, Rahaf M. H.

Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors