Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ

Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ

Bibliographic Details
Published in:	Труды 1-й конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора, Томск, 15 февраля 2005 г. С. 49-54
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Филатов, Михаил Федорович, Федорова, Н. В., Григорьев, Денис Валерьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	труды ученых ТГУ МДП-структуры инфракрасные детекторы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation

Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe

Parameters comparison between quantum dot infrared detectors of Ge/Si and HgCdTe detectors
by: Douhan, Rahaf M. H.

Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования

Diffusion limitation of dark current in the nBn structures based on the MBE HgCdTe

Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси
by: Войцеховский, Александр Васильевич