Теоретический расчет зависимости электронного сродства от состава твердого раствора HgCdTe

Теоретический расчет зависимости электронного сродства от состава твердого раствора HgCdTe

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, Россия С. 143-146
Главный автор:	Горн, Дмитрий Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников физика диэлектриков ИК-диапазон труды ученых ТГУ

Похожие документы

Источники ИК излучения на квантово-размерных структурах на основе HgCdTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Исследование физических ограничений, влияющих на предельную мощность излучающего диода ИК-диапозона
по: Ханин, А. В.

Ga2S3 - перспективный нелинейный кристалл для ИК диапазона

Учет зависимости электронного сродства от состава при расчете зонных диаграмм варизонных структур CdHgTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Чарыков, И. В.

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
по: Денисов, Юрий Алексеевич
Публикация: (1998)

Optical rectification and down-conversion of FS pulses into mid-IR and THz range in GaSe1-xSx

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Туннельная рекомбинация и вольт-амперные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN
по: Потанахина, Л. Н.

Birefringence of GaSe1-xSx, x = 0 - 0.44, crystals at mid-IR and THz range

Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Влияние температуры подложки и скорости роста на состав твердого раствора GaPxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Круглов, А. С.

Verification of an integral figure of merit for mid-IR nonlinear crystals

Микродвойникование в соединении Cd6P7
по: Кунакова, Н. А.

Исследование температурной зависимости проводимости аморфных полупроводников
по: Перминов, А. В.

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Восстановление отражательных свойств земной поверхности по спутниковым данным в видимом и ближнем ИК-диапазоне
по: Тарасенков, Михаил Викторович

Температурные зависимости поглощения света в кристаллах титана висмута
по: Жныкина, М. А.

The effect of volume inclusions of the ZnGeP2 single-crystal on the dispersion of the refraction index and the absorption coefficient in mid-IR and terahertz ranges of wavelengths

Исследование генерационных характеристик красителей для перестраиваемых лазеров ближнего ИК диапазона
по: Ежов, Дмитрий Михайлович

Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, после низкоэнергетического ионного воздействия
по: Волков, В. С.

Применение эпитаксиальных пленок КРТ, для создания фотоприемников ИК диапозона
по: Дацко, Д. И.

Физика твердого тела тезисы докладов Всесоюзной научной студенческой конференции (15-17 мая 1990 г.)
Публикация: (1990)

Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (1997)

Физика твердого тела Физика полупроводников, физика сегнетоэлектриков и диэлектриков, физика низких температур: Спецпрактикум
Публикация: (1983)

Влияние ядерных излучений на свойства CdS и CdS + Cu монокристаллов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Мак, Василий Тимофеевич
Публикация: (1976)

Фотодетекторы на основе Si с квантовыми точками Ge для ближнего ИК-диапазона

Interface studies in HgTe/HgCdTe quantum wells

Background donor concentration in HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Радиационные эффекты в HgCdTe

Спектральные характеристики триоксида диалюминия в ИК диапазоне длин волн
по: Войцеховская, Ольга Кузьминична

Управление инверсией населенности на самоограниченных ИК переходах щелочноземельных металлов

Высокочувствительные фотонные и тепловые детекторы ИК-диапазона
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Температурные зависимости оптического поглощения и его фотоиндуцированных изменений в кристалле Bi12TiO20:Zn
по: Полякова, Л. Е.

Исследование диффузии натрия в бромиде калия под воздействием электронного облучения
по: Франгульян, Тамара Семеновна

Эволюция электронного химпотенциала в кристаллах GaAs, облученых электронами
по: Боровской, А. Н.

Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии

IR-to-THz down conversion in nonlinear Gase:Al crystals