Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Bibliographic Details
Published in:	Наноинженерия № 4. С. 8-14
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук, Несмелов, Сергей Николаевич, Кульчицкий, Николай Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	инфракрасные детекторы квантовые ямы квантовые точки германий кремний статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493261 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Performance analysis of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
by: Dukhan, Rahaf M. H.

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Инфракрасные детекторы
by: Рогальский, Антоний
Published: (2003)

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
by: Кузнецова, А. Н.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
by: Lozovoy, Kirill A.

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович