Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками

Bibliographic Details
Published in:	Прикладная физика № 5. С. 45-49
Main Author:	Войцеховский, Александр Васильевич
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	инфракрасные фотодетекторы молекулярно-лучевая эпитаксия солнечные элементы наногетероструктуры квантовые точки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000499764

Similar Items

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф Мохаммедовна

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review)

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии