Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
Published in: | Физика и техника полупроводников Т. 49, вып. 3. С. 379-384 |
---|---|
Corporate Author: | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники |
Other Authors: | Мынбаев, Карим Джафарович, Баженов, Николай Леонидович, Ижнин, Александр Иванович, Ижнин, Игорь Иванович, Михайлов, Николай Николаевич физик, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Шиляев, Артур Владимирович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500764 |
Similar Items
-
Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич - Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Light emission from CdHgTe-based nanostructures
-
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич