Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 11. С. 134-137
Corporate Authors: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
Other Authors: Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич, Новиков, Вадим Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович, Прудаев, Илья Анатольевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
светодиоды
гетероструктуры
короткопериодная сверхрешетка
множественные квантовые ямы
фотолюминесценция
светодиодные гетероструктуры
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501708

Similar Items

Similar Items