Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов С. 138
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Юрий Георгиевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781