Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Bibliographic Details
Published in:Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов С. 138
Corporate Authors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Юрий Георгиевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781
Description
Bibliography:Библиогр.: 3 назв.