Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

The results of experiments on the generation of terahertz radiation in the nitride LED structures at optical excitation by ultrashort laser pulses are presented. The dependences of the emission spectra on the structural parameters of samples and intensity of laser pulses are studied. An increase in...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Russian physics journal Vol. 58, № 2. P. 192-197
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Prudaev, Ilya A., Tolbanov, Oleg P., Kosobutsky, Alexey V., Sarkisov, Sergey Yu
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	спектроскопия терагерцовое излучение нитрид индия-галлия нитрид галлия квантовые точки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000533096 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

The Blue Laser Diode : GaN Based Light Emitters and Lasers/
by: Nakamura, Shuji, et al.
Published: (1997)

A comparison of terahertz electro-optic sampling in ZnTe, ZnSe, GaP and GaSe1-xSx crystals