|
|
|
|
| LEADER |
01851nam a2200337 4500 |
| 001 |
vtls000018111 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20211029111744.0 |
| 008 |
970717s1997 ru 00| | rus d |
| 020 |
|
|
|c 50000.00
|
| 035 |
|
|
|a 0019-28460
|
| 039 |
|
9 |
|y 200808161833
|z Александр Эльверович Гилязов
|b 26
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|e PSBO
|
| 080 |
|
|
|a 537.311.32
|
| 080 |
|
|
|a 621.315.5/6](043.3)
|
| 100 |
1 |
|
|a Панин, Алексей Викторович
|9 62968
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Исследование возможности управления электрическими характеристиками МДП-структур на основе арсенида галлия
|b Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
|c Том. гос. ун-т. , Науч. рук. В. И. Гаман, В. М. Калыгина
|
| 260 |
|
|
|a Томск
|c 1997
|9 687986
|
| 300 |
|
|
|a 221 л.
|b ил.
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: с. 210-218
|
| 653 |
|
|
|a диссертации.
|
| 653 |
|
|
|a диэлектрики.
|
| 653 |
|
|
|a поверхностные состояния.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковая электроника.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы.
|
| 653 |
|
|
|a транзисторы.
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет.
|9 53646
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|h 1-836689к
|i 537
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=39586
|
| 999 |
|
|
|c 39586
|d 39586
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 1836689К
|7 0
|9 93929
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2021-04-02
|g 50000.00
|l 0
|o 1-836689к
|p 13820000066653
|r 2021-04-02
|t 1
|w 2021-04-02
|y 1
|
