|
|
|
|
LEADER |
02118nab a2200301 c 4500 |
001 |
vtls000547260 |
003 |
RU-ToGU |
005 |
20241016173316.0 |
007 |
cr | |
008 |
170613|2015 ru s c rus d |
035 |
|
|
|a to000547260
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
100 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
245 |
1 |
0 |
|a Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: 12 назв.
|
520 |
3 |
|
|a В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-ми SiO2/Si3N4 и Al2O3. Рассмотрены особенности определения параметров поверхностных состояний для струк-тур на основе Hg1-xCdxTe с приповерхностным варизонным слоем.
|
653 |
|
|
|a МДП-структуры
|
653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
653 |
|
|
|a теллурид кадмия-ртути
|
653 |
|
|
|a варизонные слои
|
655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2015
|g Т. 58, № 8/3. С. 235-238
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
856 |
7 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547260
|
908 |
|
|
|a статья
|
999 |
|
|
|c 404589
|d 404589
|