Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Bibliographic Details
Published in:	Нанофизика и наноэлектроника : труды XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород Т. 2, секция 3. С. 601-602
Other Authors:	Новиков, Вадим Александрович, Войцеховский, Александр Васильевич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Григорьев, Денис Валерьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	эпитаксиальные пленки теллурид кадмия-ртути v-дефекты статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000550264

Similar Items

Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
by: Новиков, Вадим Александрович

Радиационные эффекты в HgCdTe

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути
by: Усманов, С. Р.

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ

Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe

Исследование спектральных характеристик эпитаксиальных пленок КРТ
by: Волков, А. И.

Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe

Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.

Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Light emission from CdHgTe-based nanostructures

Background donor concentration in HgCdTe

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air

Применение эпитаксиальных пленок КРТ, для создания фотоприемников ИК диапозона
by: Дацко, Д. И.

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films

Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe