Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля

Bibliographic Details
Published in:	Фундаментальные и прикладные проблемы современной механики : (материалы V Всероссийской научной конференции), Томск, 3-5 октября 2006 г. С. 358-359
Main Author:	Вячистый, Дмитрий Федорович
Other Authors:	Нариманов, Ринат Казбекович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	труды ученых ТГУ полевые транзисторы двумерные модели вольт-амперные характеристики
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01516naa a2200265 c 4500
001	vtls000552572
003	RU-ToGU
005	20230928142831.0
008	161207s2006 ru a f 100 0 rus d
035			\|a to000552572
039		9	\|y 201612070848 \|z Александр Эльверович Гилязов \|b 100
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
100	1		\|a Вячистый, Дмитрий Федорович \|9 458237
245	1	0	\|a Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля \|c Д. Ф. Вячистый, Р. К. Нариманов
504			\|a Библиогр.: 3 назв.
653			\|a труды ученых ТГУ
653			\|a полевые транзисторы
653			\|a двумерные модели
653			\|a вольт-амперные характеристики
700	1		\|a Нариманов, Ринат Казбекович \|9 67121
773	0		\|t Фундаментальные и прикладные проблемы современной механики : (материалы V Всероссийской научной конференции), Томск, 3-5 октября 2006 г. \|d Томск, 2006 \|g С. 358-359 \|z 5751120935 \|w to000232554
852			\|a RU-ToGU
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=407775
908			\|a статья
999			\|c 407775 \|d 407775

Similar Items