Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Show other versions (1)

Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имел...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 128-131
Other Authors: Зарубин, Андрей Николаевич, Новиков, Владимир Александрович, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Щербаков, Иван Дмитриевич, Лозинская, Анастасия Дмитриевна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
детекторы
сенсоры
арсенид галлия
Шоттки барьер
вольт-амперные характеристики
температурные зависимости
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577396
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имели следующую структуру: Ni/Cr-GaAs:Cr-Cr/Ni. Измерения проводились при изменении температуры от 23 до 70 °C. Полученные ВАХ хорошо описываются термоэмиссионной моделью токопереноса. На основе экспериментальных зависимостей сделан вывод о величине барьера Шоттки исследуемых образцов.
Bibliography:Библиогр.: 2 назв.
ISSN:0021-3411

Similar Items