Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имел...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 128-131 |
---|---|
Other Authors: | Зарубин, Андрей Николаевич, Новиков, Владимир Александрович, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Щербаков, Иван Дмитриевич, Лозинская, Анастасия Дмитриевна |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577396 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
by: Щербаков, Иван Дмитриевич -
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
by: Цуканов, Владимир Андреевич -
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
by: Нетудыхатко, А. В. - Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC
-
Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна