|
|
|
|
| LEADER |
02519nab a2200337 c 4500 |
| 001 |
vtls000577659 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20241016173238.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
170616|2017 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a to000577659
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур
|c А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
|
| 246 |
1 |
1 |
|a Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 20 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диапазоне температур 8-100 К. Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа проводимости после отжига, сопротивление области пространственного заряда определяется генерацией Шокли-Рида в диапазоне температур 50-77 К.
|
| 653 |
|
|
|a МДП-структуры
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a подложки
|
| 653 |
|
|
|a адмиттанс
|
| 653 |
|
|
|a варизонные слои
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Кульчицкий, Николай Александрович
|
| 773 |
0 |
|
|t Успехи прикладной физики
|d 2017
|g Т. 5, № 1. С. 54-62
|x 2307-4469
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
7 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577659
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 419815
|d 419815
|
