Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диа...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Успехи прикладной физики Т. 5, № 1. С. 54-62
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Кульчицкий, Николай Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры молекулярно-лучевая эпитаксия подложки адмиттанс варизонные слои статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577659

Similar Items

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions
by: Talipov, Niyaz Kh

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.