Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатной температуре хорошо описывается ABC-моделью для обоих режимов накачки. При низких температурах для...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/2. С. 135-137
Main Author:	Копьев, Виктор Васильевич
Other Authors:	Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	фотолюминесценция электролюминесценция нитрид галлия нитрид индия-галлия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000553575