Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатной температуре хорошо описывается ABC-моделью для обоих режимов накачки. При низких температурах для...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/2. С. 135-137
Main Author:	Копьев, Виктор Васильевич
Other Authors:	Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	фотолюминесценция электролюминесценция нитрид галлия нитрид индия-галлия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000553575

Similar Items

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
by: Копьев, Виктор Васильевич

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
by: Романов, Иван Сергеевич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера