Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия

Bibliographic Details
Published in:	Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г. С. 46-50
Main Author:	Кравцова, Наталья Сергеевна
Other Authors:	Вагин, Николай Валерьевич, Габидулин, Михаил Евгеньевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	кремний германий квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия оптоэлектронные устройства статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000625636 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
by: Lozovoy, Kirill A.

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками