Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si

Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых) С. 77-80
Главный автор:	Несмелов, Сергей Николаевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников физика диэлектриков ИК-фотоприемники квантовая эффективность Шоттки барьер труды ученых ТГУ
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии
по: Новиков, Вадим Александрович

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Фотоэлектрические свойства неоднородных SiSiO2-структур
по: Соколов, В. Н.

ИК-фотоприемники на основе барьера PTSI-P-SI с высоколегированным поверхностным слоем
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Электрические характеристики GexSi1-x/Si-гетероструктур
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Ластовка, Владимир Викторович
Публикация: (1983)

Компьютерное моделирование движения разориентированных ступеней при эпитаксии Si/Si(001)
по: Чернов, И. Д.

Источники ИК излучения на квантово-размерных структурах на основе HgCdTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Исследование физических ограничений, влияющих на предельную мощность излучающего диода ИК-диапозона
по: Ханин, А. В.

Теоретический расчет зависимости электронного сродства от состава твердого раствора HgCdTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Эффекты квантовой интерференции в мессбауэровской гамма-спектроскопии
по: Юричук, А. А.

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Изучение поверхности Si(111) методом атомно-силовой микроскопии
по: Родякина, Екатерина Евгеньевна

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Деградация формованных структур Mo-SiO2+C-Al
по: Сахаров, Юрий Владимирович

Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001)

Фазовые и структурные превращения в пленках системы Pt-Ni-Si при различных видах термообработки
по: Кушев, С. Б.

СВЧ поглощение в сверхтонких слоях NixSi1-x

Резонансное туннелирование в нанокластерах Au на поверхности тонких пленок SiO2/Si при исследовании методом комбинированной АСМ/СТМ
по: Лапшина, М. А.

Применение эпитаксиальных пленок КРТ, для создания фотоприемников ИК диапозона
по: Дацко, Д. И.

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
по: Самарин, А. А.

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
по: Волков, А. И.

Исследование свойств гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Турапин, Алексей Михайлович

Релаксационные процессы в Si-МДП-структурах, стимулированные слабым магнитным полем Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
по: Несмелов, Сергей Николаевич
Публикация: (1998)

Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier
по: Moskalenko, Victoriya D.

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Особенности кинетики формирования отклика при воздействии водорода и метана на тонкие пленки Pt/SnO2:Sb
по: Мазалов, С. М.