Isothermal and CW laser crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films
Transmission electron microscopy results are presented for as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 thin films after theirs isothermal annealing and CW laser illumination. Obtained microphotographs suggested that the crystallization process was driven solely by heterogeneous nucleation on the film boundary....
Published in: | Journal of non-crystalline solids Vol. 480. P. 51-56 |
---|---|
Other Authors: | Vorobyov, Yuri, Lazarenko, Petr I., Presniakov, Michael, Kozyukhin, Sergey A. |
Format: | Article |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644986 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Формирование диффузионной зоны в трехслойной системе "основа-покрытие" в условиях изотермического отжига разнородных материалов
by: Тян, Алексей Владимирович - Термостабильность структуры и свойств сплава Ti-(40-45)Nb при изотермических отжигах
- Influence of the composition on the thermoelectric and electro-physical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory application
-
Нейтронографическое исследование образования дальнего порядка в карбиде титана TiC0.60
by: Хидиров, Ирисали Газиевич - Organic thin film laser with quasi-longitudinal optical pumping