Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
Опубликовано в: : | Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г. С. 239-242 |
---|---|
Главный автор: | Павлов, Илья Григорьевич |
Другие авторы: | Лозинская, Анастасия Дмитриевна |
Формат: | Статья в сборнике |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000652177 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
- Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip
-
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023) - Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
- Моделирование эффективности сбора заряда и фоточувствительности карбид кремниевых и сапфировых сенсоров рентгеновского излучения
- Вывод на рынок детекторов на основе матричных арсенид галлиевых сенсоров для обработки сигналов и изображений медицинских и промышленных диагностических комплексов