Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ

Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ

Bibliographic Details
Published in:	XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции Т. 2 : Стендовые доклады. С. 395-398
Other Authors:	Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	зонные диаграммы, моделирование барьерные структуры кадмий-ртуть-теллур статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658542

Similar Items

Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути

Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм

Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Учет зависимости электронного сродства от состава при расчете зонных диаграмм варизонных структур CdHgTe
by: Горн, Дмитрий Игоревич

Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
by: Костюченко, Владимир Яковлевич

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
by: Талипов, Нияз Хатимович

Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe

Средневолновые ФПУ форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на основе слоев HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на кремниевых подложках

Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe

Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
by: Вишняков, Алексей Витальевич

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Горн, Дмитрий Игоревич
Published: (2012)

Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ МЛЭ с неоднородным распределением состава и уровня легирования
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние фонового излучения на фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ

Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Филатов, Михаил Федорович

Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности имплантации ионов аргона и азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич

Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Роль барьерных структур и аутоиммунитета в патогенезе возрастных катаракт: автореферат диссертации ... кандидата медицинских наук : 14.00.08/
by: Онищенко, А. Л. офтальмология Александр Леонидович
Published: (1992)

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe

Геологический справочник по сидерофильным и халькофильным редким металлам
Published: (1989)

Theoretical model for description of single CdHgTe quantum well photoluminescense spectra
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Влияние уровня легирования кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si
by: Калыгина, Вера Михайловна

Влияние уровня легирования кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si
by: Калыгина, Вера Михайловна

Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Анализ основного состава теллурида кадмия-ртути потенциометрическим титрованием
by: Шумар, Светлана Викторовна

Математическое моделирование фазовых диаграмм однокомпонентных систем
by: Мурашкин, Виталий Васильевич

Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути

Альбом карт-схем экологического состояния города Томска: альбом/
by: Изерская, Л. А., et al.
Published: (1992)

Адсорбция и кинетика электровосстановления нитрила акриловой кислоты на ртути, кадмии и свинце Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. 02.00.04, 02.00.05
by: Тихомиров, Александр Вячеславович
Published: (1995)

Исследование одного вида барьерных опционов на (B, S)-финансовом рынке
by: Менибаева, Анастасия Олеговна

Statistische Zusammenstellungen ueber Aluminium, Blei, Kupfer, Zink, Zinn, Kadmium, Magnesium, Nickel, Quecksilber und Silber
Published: (1957)