Электрические характеристики полевого транзистора на основе пентацена
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17-20 апреля 2018 г. С. 230-231 |
---|---|
Main Author: | Терещенко, Евгений Васильевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659893 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Влияние нанесения LiF на электрические характеристики тонких пленок пентацена
by: Терещенко, Евгений Васильевич -
Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля
by: Вячистый, Дмитрий Федорович -
К вопросу расчета полевого транзистора Шоттки на основе гидродинамической модели
by: Багутдинов, Равиль Анатольевич - Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2
-
Численное моделирование полупроводниковых устройств на основе пентацена
by: Курчин, Константин Николаевич